特許
J-GLOBAL ID：200903062547932332
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325865
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177409
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】光入射側から遠い段のi層が最も厚いp-i-n接合を積層したタンデムセルをもつ薄膜太陽電池の成膜をインライン型装置の複数の成膜室で行う場合に、各室のプロセス時間を均一化してタクトタイムの短縮を図る。【構成】一つの成膜室内で基板上に最後にドープ膜を形成し、基板を室外に搬送したのち、i層成膜と同じ操作を行うことによって成膜室のクリーニングを行う。この結果、次に搬入される基板上に最初にi層を成膜しても不純物が混入することがなくなるため、厚いi層を含む部分の成膜数を減らすか、厚いi層を二つの成膜室で分割して形成することが可能になり、各成膜室のプロセス時間の均一化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
複数の成膜室を通じて搬送される基板上に一つ以上のp-i-n接合を形成する薄膜太陽電池の製造方法において、少なくとも一つのi層の成膜を一つの成膜室に基板が搬入されてから最初に行い、その基板上へのその成膜室内での成膜をドープ層の成膜で終え、その基板をその成膜室外へ搬出したのち、その成膜室のクリーニングを行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
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