特許
J-GLOBAL ID：200903062550398754
磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056913
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 製造時および/あるいは使用時に静電気を放出してその静電破壊を防ぐことができる磁気抵抗効果ヘッドを提供するとともに、その製造方法をも提供する。【解決手段】 この磁気抵抗効果ヘッドでは、P型とN型の半導体薄膜を積層して構成した縦型ダイオードを、磁気抵抗効果素子のリード間、あるいはそのリードと磁気シールドの間を接続するように挿入している。この縦型ダイオードを持った磁気抵抗効果ヘッドは薄膜技術で製作され、縦型ダイオードはスポットレーザアニールして作ることができる。
請求項（抜粋）：
導電体薄膜上に形成され、お互いに積層されたP型半導体薄膜とN型半導体薄膜を持ち、その接合面が前記導電体薄膜と実質的に平行となっている縦型ダイオードが、磁気抵抗効果素子のリード間、あるいは磁気抵抗効果素子のリードと下部あるいは中間磁気シールドの間を接続していることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA02
, 5D034BB14
, 5D034BB20
, 5D034CA07
, 5D034DA07
