特許
J-GLOBAL ID：200903062550447275
絶縁膜製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039135
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252065
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】ECRプラズマCVDによる絶縁膜製造方法として、内部応力の小さい均質な膜で段差部全体を一様に覆うことのできる絶縁膜製造方法を提供する。【構成】成膜工程とスパッタ工程を交互に繰り返しながら被成膜面に膜を堆積させて行く方法とし、かつスパッタ工程を少なくとも2回含む方法とする。基板近傍のプラズマの改質、ならびに段差部での水平膜と垂直膜との均質化と垂直膜断面の形状制御のため、両工程間でRFバイアスの大きさを変える。また、スパッタ工程でエッチングガスを添加することにより、連続成膜時の,基板に付着するパーティクル数の増加を抑制可能とする。
請求項（抜粋）：
軸対称の筒状体に形成され一方の端面に該筒状体と同軸にマイクロ波導入窓を備えるとともに他方の端面に該筒状体と同軸に開口が形成され前記一方の端面側でマイクロ波伝達手段を介してマイクロ波発生用電源と結合される第1の真空容器と、該第1の真空容器の前記開口を介して該第1の真空容器と連通し内部に被成膜基板が配される第2の真空容器と、被成膜基板に高周波バイアスを印加するための高周波電源と、前記第1,第2の真空容器内を所定の圧力に維持するための排気手段とを備えてなるマイクロ波プラズマ装置を用い、被成膜基板に高周波バイアスを印加しつつ前記第1,第2の真空容器内へそれぞれ組成の異なる原料ガスを導入し、あるいは第1の真空容器内のみに原料ガスを導入して被成膜基板表面にSiN絶縁膜またはSiO絶縁膜を形成する絶縁膜製造方法において、前記第1の真空容器内へ導入する一方の原料ガスを、SiN絶縁膜用としてN2 またはNH3 、SiO絶縁膜用としてO2 またはN2 Oとし、前記第2の真空容器内へ導入する他方の原料ガスをSiH4 またはSi2 H6 とする成膜工程と、前記一方の原料ガスを、SiN絶縁膜およびSiO絶縁膜用としてAr,N2 ,NH3 ,O2 ,N2 Oまたはこれらを適宜に組み合わせた混合ガスとし、前記他方の原料ガスは使用しないで前記成膜工程で成膜した絶縁膜をスパッタするスパッタ工程とを交互に行いながら被成膜基板表面に絶縁膜を堆積させて行く方法であって少なくとも該スパッタ工程を2回含むことを特徴とする絶縁膜製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/203
