特許
J-GLOBAL ID：200903062552604637
プラズマ処理方法及び処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017990
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213365
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】プラズマ形成条件の変更を伴わずに、プラズマ処理時の局所的異常部の発生を抑制して基板表面に均一なプラズマ処理が行なえるプラズマ処理方法及び装置を実現すること、また、プラズマ処理時にマスクを用いずに基板上に所定のパターンを形成することのできる新規なパターン形成方法及び装置を実現すること。【構成】プラズマ処理部のガス供給器20を構成するガス吹出板9の構造に特徴を持たせ、ガス吹出穴2の周囲、吹出口2aの構造を凸形状部11とする。この凸形状部11の作用により、ガス吹出穴2内に入り込むプラズマの増加分を減じて相殺し、基板1上に均一なプラズマ処理を施す。プラズマの形成は電磁波導入口7から電磁波を印加し、コイル8により磁場を発生させて反応室10でECRプラズマ処理を行なうか、周知のRFプラズマ処理を行なう。プラズマ処理としては成膜及びエッチングのいずれにも適用できる。
請求項（抜粋）：
ガス吹出板に設けられたガス吹出穴から処理ガスをプラズマ空間内に送給して基板表面をプラズマ処理する工程を有して成るプラズマ処理方法であって、前記ガス吹出穴に入り込むプラズマ空間の増加分を、ガス吹出穴の吹出口周壁に設けた突出部により相殺して実効的に均一なプラズマ空間を生じさせて基板表面をプラズマ処理する工程を有して成るプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
