イメージセンサ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-077737
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】従来のイメージセンサのダイナミックレンジ拡大方法の一つに、露光時間の異なる行の信号電荷を画素領域の上下に設けた水平転送レジスタに別々に読み出し、オフチップでそれらを合成する方法があるが、水平のスキャン回路が上下に必要になるため回路規模、システム規模が大きくなるという欠点があった。【解決手段】露光時間の異なる2回の露光を行って、ピクセル内に設けたピクセル内容量4に1回目の露光期間でフォトダイオード1に発生した信号電荷を保持し、2回目の露光期間でフォトダイオード1に発生した信号電荷を1回目の信号電荷とピクセル内で混合して読み出すことにより、第一露光期間に白飛びした部分は第二露光期間の情報で、また、第二露光期間に黒潰れした部分は第一露光期間の情報でそれぞれ補われるため、白飛び・黒潰れの緩和された光量に対するダイナミックレンジの広い画像が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体領域と、前記半導体領域内に形成された前記半導体領域と逆の導電型の拡散層とを有する半導体装置を含み、前記半導体装置の前記拡散層内のキャリアを排出した後、前記拡散層内に光を入射させて前記拡散層内にキャリアを発生させ、発生したキャリアの表面電位に基づく信号を出力部に出力して前記光の入射量を測定するイメージセンサであって、前記拡散層内に光を入射させて前記拡散層内にキャリアを発生させる工程が、前記光を第1の露光期間に渡って前記拡散層内に入射させて前記拡散層内に第1のキャリアを発生させ、前記第1の露光期間後の蓄積期間に前記第1のキャリアを蓄積部に移し、前記蓄積期間の後、前記光を第2の露光期間に渡って前記拡散層内に入射させて前記拡散層内に第2のキャリアを発生させることにより行われ、前記発生したキャリアの表面電位に基づく信号を出力部に出力して前記光の入射量を測定する工程が、前記第2の露光期間の後の読出し期間に、前記第1のキャリアと前記第2のキャリアとを合わせる動作を含むことを特徴とするイメージセンサ。

IPC (4件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 1/028

FI (5件)：

H04N 5/335 Q , H04N 5/335 E , H04N 1/028 A , H01L 27/14 A , H01L 31/10 G

Fターム (37件)：

4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA12 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118DB01 , 4M118DD11 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA14 , 5C024AX01 , 5C024CX47 , 5C024GX03 , 5C024GY03 , 5C024GY32 , 5C024GY35 , 5C024GY38 , 5C024GZ08 , 5C024GZ28 , 5C024HX28 , 5C024HX41 , 5C051AA01 , 5C051BA02 , 5C051DA06 , 5C051DB01 , 5C051DB13 , 5C051DB18 , 5C051DC03 , 5C051DC07 , 5C051DE02 , 5F049NA03 , 5F049NA18 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049UA04 , 5F049UA11 , 5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

CMOSを基礎とするピクセル構造の高ダイナミックレンジの読み出し信号を得る方法及びそのCMOSを基礎とするピクセル構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-027264 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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