特許

J-GLOBAL ID：200903062554587845

プラズマ処理装置

発明者： 今橋 一成
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059876
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074115
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 平行平板電極構造ではプラズマを発生させることができない高真空下でも高密度なプラズマを発生させることができ、しかも半導体ウエハ等の被処理体を汚染することなく、被処理体に対して均一な超微細加工を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本プラズマ処理装置は、処理容器11内に設けられたガス供給部11Cから処理容器11内へ供給された処理用ガスで処理するための半導体ウエハWを支持する、処理容器11内に配設されたサセプタ12を備え、高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期して半導体ウエハWに沿って平行に高周波電磁界を形成すると共に処理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起する4個のコイル13Aを処理容器11の外周に設けたものである。

請求項（抜粋）：

処理容器内に設けられたガス供給部から供給された処理用ガスにより処理するための被処理体を支持する、上記処理容器内に配設された支持体を備え、高周波電圧の印加によりこの高周波電圧に同期して上記被処理体に沿って平行に高周波電磁界を形成すると共に上記処理用ガスをプラズマ化する電磁波を生起する複数の誘導手段を上記処理容器の外周に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 ,  H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-287310
  
• 特開昭62-205270
  
• 特開昭61-086942