特許
J-GLOBAL ID：200903062556999873
発光ダイオ-ド及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373153
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196141
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】従来よりも光強度が大幅に改善された燐化砒化ガリウムGaAsP混晶を構成材料とする発光ダイオード(GaAsP系LED)、及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面がGaAsP混晶からなるペレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であるようにした。
請求項（抜粋）：
主表面がGaAsP混晶からなるぺレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であることを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (5件)：
5F041AA03
, 5F041CA38
, 5F041CA67
, 5F041CA74
, 5F041CA76
出願人引用 (3件)
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特開平4-042582
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特開昭55-163884
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特開平4-250674
審査官引用 (7件)
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