特許

J-GLOBAL ID：200903062556999873

発光ダイオ-ド及びその製造方法

発明者： 鈴木 金吾 ,  池田 均
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373153
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196141
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】従来よりも光強度が大幅に改善された燐化砒化ガリウムGaAsP混晶を構成材料とする発光ダイオード(GaAsP系LED)、及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面がGaAsP混晶からなるペレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であるようにした。

請求項（抜粋）：

主表面がGaAsP混晶からなるぺレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であることを特徴とする発光ダイオード。

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041CA38 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-042582
  
• 特開昭55-163884
  
• 特開平4-250674
  
• 特開昭59-175776