特許
J-GLOBAL ID：200903062557046764
不揮発性半導体メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074778
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329695
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】EEPROMにおいて、複数ブロック一括消去方式による消去対象となる複数のブロックのうちで消去不良が発生したブロックのアドレスを直接にチップ外部に出力し、システム側でアドレスを直接に判明できるようにする。【解決手段】それぞれ不揮発性メモリセルのアレイを有する複数のセルブロック111〜11nと、指定された複数のセルブロックを同時に消去対象としてセルデータのデータ消去を行う複数ブロック一括消去制御手段121〜12n、131〜13nと、ブロック一括消去後に消去不良のブロックが存在することが検知された場合に消去不良ブロックのアドレスをチップ外部に出力するブロックアドレス出力手段20とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一括消去の対象として指定された複数のセルブロックのデータ消去が一括して行われる、それぞれ複数の不揮発性メモリセルのアレイを有する複数のセルブロックと、前記複数のセルブロックに対応して設けられ、対応するセルブロックを選択することを表わす選択情報を保持するための複数の選択情報保持手段と、複数ブロック一括消去時に一括消去の対象として指定された複数の前記セルブロックに対応する前記選択情報保持手段にそれぞれ選択情報を入力する選択情報入力手段と、前記複数のセルブロックに対応して設けられ、前記一括消去の対象として指定された複数ブロック一括消去時には対応する前記選択情報保持手段に選択情報が保持されていれば対応する前記セルブロックの全ての前記不揮発性メモリセルを選択してそのデータを消去する複数のブロック消去手段と、上記ブロック消去手段によるデータ消去後に前記選択情報保持手段に保持されている選択情報を読み出して消去不良のセルブロックが存在するか否かを検出する消去不良ブロック検出手段と、上記消去不良ブロック検出手段により消去不良のセルブロックが存在することが検出された場合に消去不良のセルブロックの存在を知らせるためのフェイル終了信号および消去不良のセルブロックのアドレスをメモリチップ外部に出力する消去不良ブロックアドレス出力手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 303
G11C 17/00 530 B
, G11C 29/00 303 B
, G11C 17/00 309 F
