特許
J-GLOBAL ID:200903062560172517

半導体圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安藤 淳二 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-021018
公開番号(公開出願番号):特開2000-221090
出願日: 1999年01月29日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 半田の熱収縮による台座の割れを防止し、信頼性の高い半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 ダイアフラム11を有する半導体基板1とダイアフラム11に圧力を導入するための圧力導入孔21が形成された台座2とを接合し、台座2の半導体基板1との接合面と反対側の面に金属薄膜4を形成し、台座2の金属薄膜4の形成面とパッケージ3のダイ31とを半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、台座2のパッケージ3のダイ31との接合面側に金属9を埋め込んだ。
請求項(抜粋):
ダイアフラムを有する半導体基板と前記ダイアフラムに圧力を導入するための圧力導入孔が形成された台座とを接合し、該台座の前記半導体基板との接合面と反対側の面に金属薄膜を形成し、前記台座の金属薄膜の形成面とパッケージのダイとを半田接合してなる半導体圧力センサにおいて、前記台座のパッケージのダイとの接合面側に金属を埋め込んだことを特徴とする半導体圧力センサ。
Fターム (8件):
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG14 ,  2F055HH05

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