特許

J-GLOBAL ID：200903062564263126

ポジ型化学増幅フォトレジスト及びレジストパターン形成方法

発明者： 田中 裕之 ,  及川 朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-323610
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：

【要約】【目的】 ポジ型化学増幅フォトレジストの耐熱性を改良すること。【構成】 フェノール系樹脂と光酸発生剤を含む2成分系、又はさらに溶解抑止剤を含む3成分系のポジ型化学増幅フォトレジストにおいて、さらに架橋剤を添加する。この化学増幅フォトレジストは、パターン露光、ポスト露光ベーク、現像後、さらに全面露光した上でポスト露光ベークより高温でベークして架橋反応を行なわしめ、樹脂を高分子化させ、よってレジストパターンの耐熱性を向上させる。

請求項（抜粋）：

フェノール系樹脂と光酸発生剤とを含むポジ型化学増幅フォトレジストにおいて、架橋剤を含んでいることを特徴とする化学増幅フォトレジスト。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027