特許
J-GLOBAL ID：200903062565095219
ガラス薄膜の高アスペクト比パターニング
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-534734
公開番号（公開出願番号）：特表2003-512995
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月08日
要約：
【要約】ガラス層又は基板をパターニングするための比較的容易で、安価な方法は、熱結晶化ガラス層に隣接して、核生成剤を含むシード材料をパターニングするステップと、シード材料及び熱結晶化ガラス層を熱処理して、選択された部分で熱結晶化ガラス層の厚さ方向にシード材料から非常に高い配向性を有する結晶成長を誘導するステップと、からなる。熱処理の後、熱結晶化ガラス層は、結晶物質によって包囲されたガラスの所望のパターンに変換される。結晶物質は、所望のガラスパターンを残すためにエッチング液によって除去される。
請求項（抜粋）：
基板上にガラス層を形成する方法であって、当該方法は、 基板上に熱結晶化ガラス層を配置するステップと、 核生成剤を含み且つ前記熱結晶化ガラス層の表面に隣接して配置されたシード材料のパターンを形成するステップと、 前記シード材料内に結晶核を導入するステップと、 前記シード材料及び前記熱結晶化ガラス層を熱処理して、前記シード材料のパターンに隣接する前記熱結晶化ガラス層の選択された部分で前記熱結晶化ガラス隣接層の厚さ方向に前記シード材料から結晶成長を誘導し、結晶材料によって包囲されたガラスの所望のパターンに前記熱結晶化ガラス層を変換するステップと、 前記エッチングによって実質的に影響を受けない前記ガラスの所望のパターンを残すと同時に、前記基板から前記結晶化材料を選択的にエッチングするステップと、を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C03C 15/00 D
, G02B 6/12 M
2H047KA03
, 2H047PA05
, 2H047PA06
, 2H047PA24
, 2H047QA04
, 2H047TA41
, 4G059AA08
, 4G059AB11
, 4G059AC30
, 4G059BB04
, 4G059BB14
, 4G059CA01
, 4G059CA08
, 4G059CB01
