特許
J-GLOBAL ID:200903062567574815
成膜装置、方法及び成膜製品
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上村 輝之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-210940
公開番号(公開出願番号):特開2000-045072
出願日: 1998年07月27日
公開日(公表日): 2000年02月15日
要約:
【要約】【課題】 単純なプロセスで、基板の湾曲なしに、ダイヤモンド膜を基板上に成膜する。【解決手段】 真空チャンバ1の中心位置に、基板10がその両面を露出した状態で基板ホルダ3に固定される。真空チャンバ1は、基板10を中心に左右な構成であり、基板10の右側面に左側面に対して、同時に同一条件で原料ガスのラジカルを供給してダイヤモンド膜を成膜する。
請求項(抜粋):
基板を支持する基板ホルダと、前記基板ホルダに支持された基板の一方の面の側に配置され、前記基板の一方の面に対して作用する第1の成膜ユニットと、前記基板ホルダに支持された前記基板の他方の面の側に配置され、前記基板の他方の面に対して作用する第2の成膜ユニットとを備え、前記第1と第2の成膜ユニットにより前記基板の両側の面に対して所定物質の膜を成膜する成膜装置。
IPC (7件):
C23C 16/44
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C30B 23/02
, C30B 29/04
, H03H 3/08
, H05H 1/46
FI (7件):
C23C 16/44 B
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C30B 23/02
, C30B 29/04 D
, H03H 3/08
, H05H 1/46 A
Fターム (51件):
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB07
, 4G077DB11
, 4G077DB17
, 4G077DB18
, 4G077DB19
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EG03
, 4G077FG01
, 4G077FG05
, 4G077HA04
, 4G077HA06
, 4G077HA14
, 4G077HA20
, 4G077TA04
, 4G077TA12
, 4G077TE02
, 4G077TE03
, 4G077TE05
, 4G077TF04
, 4G077TG01
, 4G077TK01
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030BB11
, 4K030CA02
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 4K030FA01
, 4K030FA04
, 4K030GA02
, 4K030JA01
, 4K030KA23
, 4K030KA26
, 4K030KA30
, 4K030LA11
, 4K030LA15
, 5J097AA28
, 5J097AA30
, 5J097AA32
, 5J097FF02
, 5J097HA03
, 5J097HA10
, 5J097KK00
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