特許

J-GLOBAL ID：200903062571540380

III族窒化物レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法

発明者： 鬼塚 剛 ,  金丸 浩
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-376897
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196186
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】サファイア基板を用いながらも、劈開面を光共振器面とするIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】C 面を基板面とするサファイア基板上にAlx Gay In1-x-y N (但し、0 ≦x,y 、0 ≦x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物膜が積層された後、共振器面が形成されるIII 族窒化物レーザダイオードの製造方法において、所定のIII 族窒化物膜が積層された基板10の裏面を研磨し薄板化した後、III 族窒化物膜の劈開面である(1-100) 面と基板面の交線に平行に基板裏側にスクライブ傷T を入れ、スクライブ傷に沿ってナイフエッジK により割ることによって、III 族窒化物膜の劈開を行なう(バーB2とする)。

請求項（抜粋）：

C 面を基板面とするサファイア基板とその上に積層されたAlxGay In1-x-y N (但し、0 ≦x,y 、0 ≦x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物膜からなるIII 族窒化物レーザダイオードにおいて、前記レーザダイオードの光共振器面は前記III 族窒化物膜の劈開面であることを特徴とするIII 族窒化物レーザーダイオード。

Fターム (5件)：

5F073AA04 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32