特許

J-GLOBAL ID：200903062581137525

半導体装置の製造方法

発明者： 高尾 幸弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182872
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037793
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、レジストパターンの寸法バラツキの抑止を目的とする。【構成】被形成層(11)上に屈折率nの感光性膜(12)を形成したのちに、膜厚がλ/4nの透明膜(13)を形成する工程と、波長がλの光線を用いて、前記透明膜(13)を介して前記感光性膜(12)を露光する工程と、前記透明膜(13)を除去する工程と、波長がλの光線を用いて、再び前記感光性膜(12)を露光・現像して該感光性膜(12)をパターニングしてレジストパターン(15)を形成する工程とを有すること。

請求項（抜粋）：

被形成層(11)上に感光性膜(12)を形成したのちに、屈折率がn膜厚がλ/4nの透明膜(13)を形成する工程と、波長がλの光線を用いて、前記透明膜(13)を介して前記感光性膜(12)を露光する工程と、前記透明膜(13)を除去する工程と、波長がλの光線を用いて、再び前記感光性膜(12)を露光・現像して該感光性膜(12)をパターニングしてレジストパターン(15)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/26 511

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281057   出願人：松下電子工業株式会社