特許
J-GLOBAL ID:200903062587225434

耐マイグレーション性に優れた導電性粒子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-203182
公開番号(公開出願番号):特開2002-025345
出願日: 2000年07月05日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】 耐酸化性及び耐マイグレーションが改善され、電気抵抗が低く、樹脂との反応性にも抑制された導電性粒子を得る。【解決手段】 平均粒径1〜10μmのニッケル粒子の表面に10〜30質量%の貴金属被覆層が物理蒸着法で形成されており、ニッケル粒子と貴金属被覆層との界面に合金層が形成されている。貴金属被覆層は、たとえばスパッタリング法でニッケル粒子の表面に形成される。貴金属被覆層を形成した後、真空雰囲気中で200〜400°Cに30〜60分間熱処理することにより、ニッケル粒子と貴金属被覆層との界面にある合金層が成長し、耐マイグレーションが一層改善される。
請求項(抜粋):
平均粒径1〜10μmのニッケル粒子の表面に、合金層を介して10〜30質量%の貴金属被覆層が物理蒸着法で形成されていることを特徴とする耐マイグレーション性に優れた導電性粒子。
IPC (5件):
H01B 5/00 ,  B22F 1/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/22
FI (5件):
H01B 5/00 C ,  B22F 1/02 A ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 N ,  H01B 1/22 A
Fターム (20件):
4K018BA04 ,  4K018BB04 ,  4K018BC25 ,  4K018BD04 ,  4K029AA22 ,  4K029BA02 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  5G301DA03 ,  5G301DA05 ,  5G301DA10 ,  5G301DA11 ,  5G301DD01 ,  5G301DE03 ,  5G307AA08

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