半導体結晶成長用基板および半導体結晶

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 阪間和之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-111214
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266874
出願日： 2008年04月22日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。【解決手段】Siからなり、面方位が(111)または(111)と等価な面方位である半導体結晶成長用基板11の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分12と、鏡面な部分12の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分13とを形成する。この場合、荒れた部分13を周期的に形成し、荒れた部分13のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分13の中心間の寸法を5mmとし、荒れた部分13の幅を10μmとして、荒れた部分13が形成された周期xを5mmとし、また荒れた部分13と鏡面な部分12との面積比yを約0.004とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体結晶からなる半導体層を成長するための半導体結晶成長用基板において、上記半導体層を形成する表面に、鏡面な部分と、上記鏡面な部分よりも表面粗さが大きな荒れた部分とが形成されたことを特徴とする半導体結晶成長用基板。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/18

FI (3件)：

H01L21/205 , C30B29/38 D , C30B25/18

Fターム (41件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE04 , 4G077EE07 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA12 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB15 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA07 , 5F045CA12 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F045DA67 , 5F045EB15 , 5F045GH01 , 5F045HA03 , 5F045HA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3352712号公報

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