特許

J-GLOBAL ID：200903062599222503

ウェハ支持基板

発明者： 森川 孝之
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-089000
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296912
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】従来の半導体ウェハの裏面加工工程で用いるサファイア製ウェハ支持基板は、半導体ウェハの裏面加工工程で付着した金を酸エッチングして、繰り返して利用しようとすると、ウェハ支持基板の外周側面や貫通穴内壁が次第に酸に反応してしまう問題があった。【解決手段】サファイア製の半導体ウェハ支持基板において、基板の面内に設けた複数の貫通穴の内壁および外周側面の中心線平均粗さ(Ra)を0.3μm以下の鏡面仕上げとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体製造工程における半導体ウェハの裏面加工の際にウェハを支持する基板において、サファイアからなるとともに、基板の面内に複数の貫通穴を有し、該貫通穴の内壁の中心線平均粗さ(Ra)を0.3μm以下の鏡面仕上げとしたことを特徴とするウェハ支持基板。

IPC (3件)：

H01L21/68 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

FI (3件)：

H01L21/68 N ,  B24B37/04 J ,  H01L21/304 622G

Fターム (15件)：

3C058AA01 ,  3C058AB04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB05 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA02 ,  5F031HA12 ,  5F031HA32 ,  5F031HA48 ,  5F031MA22 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11 ,  5F031PA20 ,  5F031PA30