特許

J-GLOBAL ID：200903062607929662

シリコン電極板

発明者： 後藤 圭一 ,  川合 信 ,  田村 和義 ,  小林 利美
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201348
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028366
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 パーティクル発生量を確実に低減することができる半導体デバイス製造に用いるプラズマエッチング装置用シリコン電極板を提供する。【解決手段】 プラズマエッチング処理装置に上部電極として用いられるシリコン電極板を、K2Cr2O7(5%):HF(50%)=1:2の液(セコ液)に3分間浸漬した際、表面に現れる直径0.5μm以上の大きさのピット密度が5個/mm2以下であるプラズマエッチング用シリコン電極板とする。シリコン電極板素材の比抵抗が1Ω・cm以上50Ω・cm以下であることが好ましい。包装袋及び/または包装ケースからの汚染を防ぐために、その素材としてポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートの1種を用いる。この場合、包装袋及び/または包装ケースの体積固有抵抗値が1×104〜9×1018Ω・cmであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング処理装置に上部電極として用いられるシリコン電極板であって、K2Cr2O7(5%):HF(50%)=1:2の液(セコ液)に3分間浸漬した際、表面に現れる直径0.5μm以上の大きさのピット密度が5個/mm2以下であるシリコン電極板。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H05H 1/46 M

Fターム (10件)：

5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F004EA10 ,  5F004EA40 ,  5F004EB08