特許

J-GLOBAL ID：200903062612884588

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 玉置 徳彦 ,  冨田 泰弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204467
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 MOS型半導体素子のゲート電極に接続される金属配線に保護ダイオードを接続することなく、ゲート酸化膜の劣化を防止する。【構成】 MOS型半導体素子のゲート電極3に接続されている一方拡散層には接続されていない金属配線である第1の第1層アルミニウム配線7は、プラズマプロセスにおいて発生し当該第1の第1層アルミニウム配線7に入射する荷電粒子がMOS型半導体素子のゲート酸化膜2を劣化させない所定の配線長に設定されている。また、第1の第1層アルミニウム配線7は、拡散層に接続される最上層の金属配線である第2層アルミニウム配線13を経由している。

請求項（抜粋）：

MOS型半導体素子のゲート電極に接続されている一方拡散層には接続されていない金属配線は、プラズマプロセスにおいて発生し当該金属配線に入射する荷電粒子が上記MOS型半導体素子のゲート酸化膜を劣化させない所定の配線長に設定されていると共に、最上層の金属配線を経由していることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/90

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/265 N ,  H01L 21/82 B