特許
J-GLOBAL ID：200903062613221213
電界放射型素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081810
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274848
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 先端部の頂角および曲率半径が小さい電界放出陰極(エミッタ)を有する電界放射型素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 断面形状が互いに対向する2パートからなるオーバーハング部を基板に形成する工程と、2パートのオーバーハング部の上に断面形状が2パートからなる第1の犠牲膜を形成する第1の形成工程と、第1の犠牲膜よりも反応速度が遅い犠牲膜であって、2パートからなる第1の犠牲膜の上において下部を除いてまたは上部に厚く下部には薄く、断面形状が2パートからなる第2の犠牲膜を形成する第2の形成工程と、第1の犠牲膜および第2の犠牲膜を化学反応させ、2パートからなるオーバーハング部を互いに接触させる反応工程と、接触した領域の上に電界放出陰極膜を堆積する工程と、電界放出陰極膜の先端を露出させる電極露出工程とを含む。
請求項（抜粋）：
断面形状が互いに対向する2パートからなるオーバーハング部を基板に形成する工程と、前記2パートのオーバーハング部の上に断面形状が2パートからなる第1の犠牲膜を形成する第1の形成工程と、前記第1の犠牲膜よりも反応速度が遅い犠牲膜であって、前記2パートからなる第1の犠牲膜の上において下部を除いてまたは上部に厚く下部には薄く、断面形状が2パートからなる第2の犠牲膜を形成する第2の形成工程と、前記第1の犠牲膜および前記第2の犠牲膜を化学反応させ、2パートからなるオーバーハング部を互いに接触させる反応工程と、前記接触した領域の上に電界放出陰極膜を堆積する工程と、前記電界放出陰極膜の先端を露出させる電極露出工程とを含む電界放射型素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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