特許

J-GLOBAL ID：200903062613891014

薄膜磁気センサ

発明者： 金田 安司 ,  長田 誠一 ,  白川 究
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社 ,  財団法人電気磁気材料研究所
代理人 (2件)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171835
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351563
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】 GMR膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、アニール処理に伴うGMR膜の電気抵抗Rの変化率のGMR単独膜との差、及び、センサ間の差をなくし、薄膜磁気センサのS/N比の低下を抑制すること。【解決手段】 下地膜12と、下地膜12上に形成された薄膜ヨーク14、16と、ギャップg内又はその近傍に形成されたGMR膜18と、薄膜ヨーク14、16及びGMR膜18の表面を保護する保護膜20と、下地膜12とGMR膜18の界面及び/又は保護膜20とGMR膜18の界面に形成されたバリア層22、24とを備え、GMR膜18は、金属-絶縁体系ナノグラニュラー材料からなり、バリア層22、24は、フッ化物を含む材料からなる薄膜磁気センサ10【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

非磁性絶縁材料からなる基板と、 前記基板上に形成された、軟磁性材料からなりかつギャップを介して対向させた一対の薄膜ヨークと、 前記ギャップ内又はその近傍において、前記一対の薄膜ヨークと電気的に接続されるように形成された、前記軟磁性材料より高い電気比抵抗を有し、かつ、巨大磁気抵抗効果を有するGMR膜と、 前記薄膜ヨーク及び前記GMR膜の表面を保護する保護膜と、 前記基板と前記GMR膜との界面に形成された、非磁性絶縁材料からなる第1のバリア層とを備え、 前記GMR膜は、金属-フッ化物系ナノグラニュラー材料からなり、 前記第1のバリア層は、フッ化物を含む材料からなる薄膜磁気センサ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/09

FI (5件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  G01R33/06 R

Fターム (8件)：

2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  2G017AD65 ,  5E049AA04 ,  5E049BA16 ,  5E049CC01 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-279308   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 薄膜磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-111301   出願人：財団法人電気磁気材料研究所