特許
J-GLOBAL ID：200903062616571878
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281670
公開番号（公開出願番号）：特開平6-131890
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 消去時間の短縮およびCPUへの負荷を軽減を図ったブロック単位で消去可能な不揮発性半導体記憶装置を得る。【構成】 ソース線デコーダ42は、ブロック選択アドレスBADをデコードして、ブロックラッチ回路43内の書き込み対象の1ビットラッチ50を選択し、制御信号S33に基づき“1”あるいは“0”を書き込む。そして、消去動作時に、ブロックラッチ回路43内の格納データに基づき、ソース線ゲート44がメモリセルアレイ1のブロックBK単位でオン・オフすることにより、複数を含むブロック単位でメモリセルアレイ1に対する消去動作が行われる。【効果】 消去時間の短縮およびCPUへの負荷の軽減が図れる。
請求項（抜粋）：
電気的書き込み,消去可能な複数のメモリトランジスタから構成され、複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記複数のブロックそれぞれに対応して複数の格納部が設けられ、前記複数の格納部それぞれに消去/非消去を指示する消去選択データが格納可能な消去選択データ格納手段と、消去動作実行前に、外部入力に基づき、前記複数の格納部それぞれへの前記消去選択データの書き込みを行う消去選択データ書き込み手段と、前記消去選択データ格納手段に格納された前記複数の消去選択データに基づき、前記複数のブロックそれぞれのメモリトランジスタに対する消去動作を行う消去動作制御手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/00 550
