特許
J-GLOBAL ID：200903062617442109
半導体ウェハ、テスト装置、半導体ウェハのテスト方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-002220
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171924
出願日： 2007年01月10日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】 撮像素子が形成された半導体ウェハに対して品質の劣化させることなく効率的に電気的テストを行うことを可能にする。【解決手段】 半導体基板1の主面側に撮像素子5及び主面側電極3を備えると共に、接着樹脂4を介して撮像素子5の受光可能な周波数範囲の光を透過可能な補強板2が貼り付けられている。半導体基板1は、裏面側が研磨された後に、主面側電極3の表面が露出するように形成されたスルーホール6内に導電性材料を形成し、当該導電性材料を介して主面側電極3と電気的に接続を有する裏面側電極8を裏面側に形成する。このように構成される半導体ウェハに対し、主面側からテスト用の対象光を照射し、裏面側から測定用プローブを接触させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
撮像素子が形成された半導体ウェハであって、
前記撮像素子を含む素子領域及び前記素子領域との電気的接点を形成する第1電極を主面側に有すると共に、前記主面側と反対側の裏面側に第2電極を有し、
前記主面側に、前記撮像素子によって受光可能な周波数範囲の光を透過する補強板が接着形成されており、
前記主面側と前記裏面側とを貫通して形成される導電性材料を介して前記第1電極と前記第2電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, H01L 27/14
, H01L 21/320
, H01L 23/52
H01L21/66 B
, H01L21/66 X
, H01L27/14 Z
, H01L21/88 J
4M106AA01
, 4M106AB09
, 4M106BA01
, 4M106DD10
, 4M106DD13
, 4M106DJ02
, 4M118AA09
, 4M118AB01
, 4M118BA09
, 4M118EA11
, 4M118EA18
, 4M118HA30
, 5F033MM30
, 5F033XX37
