特許

J-GLOBAL ID：200903062620331300

微細パターン形成方法および微細パターン露光装置

発明者： 菊地 智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089839
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 X線と紫外線の近接露光による微細パターン形成方法および微細パターン露光装置に関し、サブミクロンオーダーの微細パターンとその数千倍の大きさの巨大パターンを有する露光パターンを、いずれのパターンについても高精度で形成する手段を提供する。【構成】 被加工体であるウェハ8上に、X線と紫外線に感光するレジスト7を塗布し、このレジスト7を、X線用露光マスク1を用いてX線9によって露光し、紫外線用露光マスク10を用いて紫外線13によって露光することによって、微細パターンは主にX線によって高解像度で露光し、X線露光によっては不足する巨大パターンの露光量を紫外線露光によって補って、全体の露光量を均一化する。また、被加工体上に、X線と紫外線に感光するレジストを塗布し、このレジストを、微細パターンと巨大パターンを有する一つのX線用露光マスクを用いてX線および紫外線によって露光する。

請求項（抜粋）：

被加工体上にX線と紫外線に感光するレジストを塗布する工程と、該レジストをX線と紫外線によって多重露光する工程を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 503

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 301 G ,  H01L 21/30 311 A