特許
J-GLOBAL ID：200903062631009280
半導体レーザ選別方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉 和人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046175
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 常温で半導体レーザの温度特性の良否の選別を簡易にできる半導体レーザ選別方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ4に駆動電流を供給して光出力を定格値まで上昇させる手段(2,3)と、光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定時間保持する手段(2,3)と、前記所定時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定する手段5と、前記光出力低下量を所定の閾値と比較する手段8と、前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品として選別する手段8とを備える。
請求項（抜粋）：
半導体レーザに駆動電流を供給して光出力を定格値まで上昇させるステップと、光出力が前記定格値まで上昇した時点の駆動電流を所定時間保持するステップと、前記所定時間後の半導体レーザの光出力低下量を測定するステップと、前記光出力低下量を所定の閾値と比較するステップと、前記光出力低下量が前記所定の閾値より大きいときの半導体レーザを不良品として選別するステップと、を含むことを特徴とする半導体レーザ選別方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2G086EE03
, 5F073HA04
, 5F073HA07
, 5F073HA11
