特許
J-GLOBAL ID：200903062652633758
荷電粒子ビーム露光装置,その偏向データ作成方法 及び荷電粒子ビーム露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293116
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136031
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 本発明は荷電粒子ビーム露光装置の改善に関し、マスク選択用偏向器や光軸復帰用偏向器の偏向データの間に基準因子を設け、それ等が複数設けられた場合であっても、短時間に偏向能率を決定すること、1個の偏向器の偏向データに基づいて他の残りの偏向器を制御すること、及び、高解像度のブロック露光処理を行うことを目的とする。【構成】 荷電粒子ビーム11Aを発生する荷電粒子発生源11と、前記荷電粒子ビーム11Aを複数のブロックマスクパターンBPi,〔i=1,2...i〕の一つに偏向する第1の偏向手段12と、前記複数のブロックマスクパターンBPiから成り、かつ、荷電粒子ビーム11Aのパターン整形をするビーム整形手段13と、前記パターン整形された荷電粒子ビーム11Aを光軸に戻す第2の偏向手段14と、少なくとも、前記荷電粒子発生源11及び各手段12〜14の入出力を制御する制御手段15とを具備し、前記制御手段15が、一方の偏向手段12を基準にしたビーム偏向データDX,DYに基づいて他の偏向手段14を偏向出力制御をすることを含み構成する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビーム(11A)を発生する荷電粒子発生源(11)と、前記荷電粒子ビーム(11A)を複数のブロックマスクパターン(BPi,〔i=1,2...i〕)の一つに偏向する第1の偏向手段(12)と、前記複数のブロックマスクパターン(BPi)から成り、かつ、荷電粒子ビーム(11A)のパターン整形をするビーム整形手段(13)と、前記パターン整形された荷電粒子ビーム(11A)を光軸に戻す第2の偏向手段(14)と、少なくとも、前記荷電粒子発生源(11),第1の偏向手段(12),ビーム整形手段(13)及び第2の偏向手段(14)の入出力を制御する制御手段(15)とを具備し、前記制御手段(15)が、一方の偏向手段(12)を基準にしたビーム偏向データ(DX,DY)に基づいて他の偏向手段(14)を偏向出力制御をすることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G21K 5/04
, H01J 37/305
H01L 21/30 341 J
, H01L 21/30 341
