特許

J-GLOBAL ID：200903062659352878

研磨量監視方法およびそれを用いた研磨装置

発明者： 小室 善昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138083
公開番号（公開出願番号）：特開2003-334757
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】【課題】 被研磨対象物の薄膜が全体として平均的に所定の膜厚になるように研磨量を監視することができ、製品としての被研磨対象物の膜厚のばらつきを抑制可能な研磨量監視方法および研磨装置を提供する。【解決手段】 研磨装置1は、回転角度を検出可能なエンコーダ17を備え、被研磨対象物としての薄膜を保持する保持ヘッド5と、薄膜を研磨する研磨手段としての研磨布3、および、回転角度を検出可能なエンコーダ18と薄膜の膜厚情報を入手するための検出光を照射する膜厚測定機16を備える研磨定盤2と、膜厚測定機16に指令信号を出力し、エンコーダ17,18からの情報に基づいて、検出光の薄膜に対する照射位置を判別して薄膜の膜厚を監視する制御手段19とを有する。エンコーダ17,18により検出光の軌跡のうちの所定の位置の膜厚情報を入手し、この膜厚情報に基づいて平均的な膜厚部分において研磨量を監視する。

請求項（抜粋）：

被研磨対象物としての薄膜と、該薄膜を研磨する研磨手段とを相対的に回転させて前記薄膜の表面を研磨する際に前記薄膜の膜厚を監視する研磨量監視方法であって、前記薄膜に照射される検出光の前記薄膜からの反射光に基づいて前記薄膜の膜厚情報を入手し、前記薄膜および前記研磨手段の位置情報に基づいて、前記検出光の前記薄膜に対する照射位置を判別し、前記照射位置と前記膜厚情報に基づいて前記薄膜の膜厚を監視する研磨量監視方法。

IPC (4件)：

B24B 49/12 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/04 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

B24B 49/12 ,  B24B 37/04 K ,  B24B 49/04 Z ,  H01L 21/304 622 S

Fターム (13件)：

3C034AA08 ,  3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA02 ,  3C034CA05 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058BB02 ,  3C058BC03 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17