縦型半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299809
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124448
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗が低くかつ耐圧を向上させた縦型半導体装置を提供する。【解決手段】複数の半導体素子のPボディ領域9間に挟まれた不純物領域が、基板6表面から低濃度不純物領域であるN-層5、高濃度不純物領域であるN+型層4で構成されている。N-層5は、ソース10とほぼ同じ深さであり、N+型層4は、Pボディ領域9とほぼ同じ深さである。N-層5とPボディ領域9との間に形成される空乏層はN-層5側に延びる。また、N+型層4とPボディ領域9との間に形成される空乏層は、Pボディ領域9側に延びている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1不純物領域を有する基板、前記第1不純物領域表面に隣接した第2導電型の第2不純物領域、前記第2不純物領域内に、前記第2不純物領域の端部から所定距離離れて形成された第1導電型の第3不純物領域、前記第1不純物領域および第2不純物領域の上に絶縁膜を介して形成された制御電極であって、前記第1不純物領域と第3不純物領域との間の第2不純物領域に電路を形成可能な制御電極、を備えた縦型半導体装置において、前記制御電極の下部の第1不純物領域は、前記第3不純物領域の深さとほぼ同じ深さまでは低濃度不純物層であり、前記低濃度不純物層の下部は前記第2不純物領域の深さとほぼ同じ深さまでは高濃度不純物層で構成されていること、を特徴とする縦型半導体装置。

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