特許
J-GLOBAL ID:200903062660386131
酸化物超電導材料の接合体及びその作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萩原 康弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-098383
公開番号(公開出願番号):特開平6-040775
出願日: 1993年04月02日
公開日(公表日): 1994年02月15日
要約:
【要約】【目的】 高い臨界電流密度を有する酸化物超電導材料の接合体およびその作製方法を提供する。【構成】 方位の揃った酸化物超電導材料が、これと同じ結晶方位を有しかつこれよりも包晶温度の低い同種の超電導相をはさんで接合されている接合体。接合面で接合しようとする酸化物超電導材料の結晶方位を合わせ、これよりも包晶温度の低い酸化物超電導体の構成元素で構成された物質をソルダーとして挿入し、接合しようとする材料の包晶温度以下でソルダーの包晶温度以上まで加熱し、さらに徐冷し接合界面に同種の酸化物超電導体を配向成長させる接合方法。【効果】 電流を妨げる粒界のない高い臨界電流密度を有する酸化物超電導材料の接合体が得られ、マグネット、磁気シールド、電流リード用材料として利用できる。
請求項(抜粋):
結晶方位の揃った複数のREBa2 Cu3 Ox (REはY,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luからなる群から選ばれた1種以上の元素)系超電導材料が、その接合面でこれよりも分解・溶融温度(包晶温度)が低く、かつこれと同じ結晶方位を有するREBa2 Cu3 Ox 相を介して接合されていることを特徴とする酸化物超電導材料の接合体。
IPC (6件):
C04B 37/00 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/00 ZAA
, H01R 43/00 ZAA
引用特許:
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