特許
J-GLOBAL ID:200903062664106117
半導体発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-184907
公開番号(公開出願番号):特開2000-022266
出願日: 1998年06月30日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】【課題】温度を測定する素子と半導体発光素子との間の温度差を一定に保ち、それらの間の熱応力を小さく保ち、かつ、高集積度で形成できる半導体発光素子の構造を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、この半導体層上に形成された半導体発光素子と、前記半導体層上に形成された温度センサーとを具備することを特徴とする半導体発光素子。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成された半導体層と、この半導体層上に形成された半導体発光素子と、前記半導体層上に形成された温度センサーとを具備することを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (7件):
5F073CA02
, 5F073CA22
, 5F073CA24
, 5F073CB05
, 5F073EA07
, 5F073EA28
, 5F073GA23
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