特許

J-GLOBAL ID：200903062669463317

水素化反応方法および装置

発明者： 佐藤 理夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264229
公開番号（公開出願番号）：特開2006-076955
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】化学産業や石油産業の反応過程のなかで重要な位置を占める水素化反応を従来手法で実施する場合には、気液接触の効率化・反応の制御・水素ガスの精製のために、多くの労力とエネルギーを要している。また高圧力が必要となるため、設備費用が大きい。 それで、熱的・化学的安定性に優れた、水素のみを透過する材料を用いることにより、制御性・省エネルギー性に優れた水素化反応方法を提案し、安価で優れた水素化反応装置を提供することが本発明の課題である。【解決手段】p型導電性をもつ半導体膜1および多孔質膜2を含む隔壁を作製し、水素化反応室13中の原料に、水素ガス室9より前記半導体膜1および多孔質膜2を含む隔壁を介して水素を供給して水素化反応を行う水素化反応装置を構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

原料に水素を反応させ水素化する方法において、前記水素化する原料と、水素ガスもしくは反応によって水素ガスを生成する水素ガス発生原料とが隔壁によって区分されて直接接することなく、かつ前記隔壁にp型導電性をもつ半導体が含まれ、当該隔壁を透過した水素が前記原料と反応して水素化することを特徴とする水素化反応方法。

IPC (11件)：

C07B 35/02 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02 ,  C07C 5/10 ,  C07C 5/13 ,  C07C 13/10 ,  C07C 13/18 ,  C07C 51/36 ,  C07C 53/126 ,  C10G 47/00 ,  C10G 47/02

FI (11件)：

C07B35/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500 ,  C07C5/10 ,  C07C5/13 ,  C07C13/10 ,  C07C13/18 ,  C07C51/36 ,  C07C53/126 ,  C10G47/00 ,  C10G47/02

Fターム (31件)：

4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006KB18 ,  4D006MA02 ,  4D006MC02X ,  4D006NA54 ,  4D006NA62 ,  4D006NA64 ,  4D006PB18 ,  4D006PB20 ,  4D006PB66 ,  4D006PC69 ,  4G140EA02 ,  4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EB19 ,  4G140FA02 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA04 ,  4H006AC11 ,  4H006AD11 ,  4H006BA09 ,  4H006BA61 ,  4H006BA82 ,  4H029CA00 ,  4H029DA00 ,  4H039CA19 ,  4H039CB10 ,  4H039CK20