特許

J-GLOBAL ID：200903062670590403

磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 川分 康博 ,  杉田 康成 ,  里見 三男 ,  榊間 博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237635
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067620
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】従来のMR素子においては固定層の異方性再付与に問題があった。【解決手段】200°C以上300°C以下の温度に保持して10Oe以上200Oe以下の磁界を印加して固定層の磁化容易方向を制御する。

請求項（抜粋）：

非磁性基板上に、外部磁界により容易に磁化回転する磁性層(自由層)と、非磁性層を介して該自由層と分離されて設けられた外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)と、該固定層の磁化回転を抑制する目的で設けられた磁化回転抑制層より構成される磁気抵抗効果素子を形成する第1の工程と、該磁性層(固定層および自由層)の磁化方向を制御する第2の工程よりなる磁気抵抗効果素子の製造方法において、200°C以上300°C以下の温度に保持して10Oe以上200Oe以下の磁界を印加して固定層の磁化容易方向を制御することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

Fターム (2件)：

5D034BA04 ,  5D034DA07