特許

J-GLOBAL ID：200903062675108766

半導体装置およびその製造方法

発明者： 黒田 淳 ,  飯島 晋平 ,  菅原 安浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223344
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ絶縁膜の結晶化、酸化改質処理の処理温度を低減する。【解決手段】 半導体基板1の主面上にMISFETQs,Qn,Qpを形成し、シリコン酸化膜46上にシリコン窒化膜50、シリコン酸化膜51を堆積し、孔52内にたとえば多結晶シリコン膜からなる下部電極55を形成する。その後、下部電極55上にたとえば熱窒化法でシリコン窒化膜56を形成する。さらにCVD法により非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これを原子状酸素を含む雰囲気で熱処理し、酸化タンタル膜を結晶化するとともに酸素欠陥の補充(回復)処理を行う。

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極に対向して形成された第2電極と、前記第1および第2電極の間に形成されたキャパシタ絶縁膜と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ絶縁膜の形成工程に、誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜に500〜750°Cの温度範囲において原子状酸素を含む雰囲気で熱処理を施す工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 F

Fターム (17件)：

5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD56 ,  5F083AD61 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40