特許

J-GLOBAL ID：200903062677017318

Cu合金膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 星野 和弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121051
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312655
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】 電解めっき法によりCu合金膜を容易に形成することができるCu合金膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 CuとCu以外の遷移金属MとからなるCu合金膜を、CuSO4 とMX (SO4 )Y (ただし、X,Yは整数)とを含むめっき液を用いた電解めっき法により形成する。遷移金属Mとしては、例えばTi,Zrなどを用いる。このようにして形成されるCu合金膜を半導体装置の配線主材料として用いて配線を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にCuとCu以外の遷移金属MとからなるCu合金膜を形成するようにしたCu合金膜の形成方法であって、CuSO4 とMX (SO4 )Y (ただし、X,Yは整数)とを含むめっき液を用いて電解めっき法により上記Cu合金膜を形成するようにしたことを特徴とするCu合金膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  C25D 3/58 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/288 M ,  C25D 3/58 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A