特許

J-GLOBAL ID：200903062679469305

酸化膜の製造方法と製造装置

発明者： 杉村 博之
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  杉村 博之
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039120
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252131
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【構成】 含酸素気体分子の雰囲気中で、先端の鋭利な加工用電極(2)を被加工材料(1)に近接させ、被加工材料の表面を正、加工用電極が負になるように直流電源(3)によって電圧を印加し、近接させた加工用電極直下の被加工材料の表面を陽極酸化する。【効果】 従来の酸化膜の製造方法の解像度の限界を越えた極めて高分解能で酸化膜の微細パターンを形成することが可能となる。このため、集積度の高い半導体素子や短波長用や軟X線等のように波長が極めて短い光のための回折光学素子の製造が可能となり、さらに、多段階の工程を経ずに、任意の酸化膜パターンを直接被加工材料の表面に形成できるので、加工効率、加工自由度は大きく向上する。

請求項（抜粋）：

含酸素分子気体の雰囲気中で、先鋭加工用電極を被加工材料に近接させ、被加工材料と加工用電極との間に電圧を印加し、加工用電極直下の表面を陽極酸化することを特徴とする酸化膜の製造方法。