特許
J-GLOBAL ID：200903062679996240
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230443
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 環境に悪影響を与える材料を用いることなく、しかも自然界に豊富に存在する材料を用いて、遠赤外領域の波長の長い光を受光しうる光半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成された第1の絶縁膜12と、第1の絶縁膜上に形成されたβ-FeSi2より成るフローティングゲート14と、フローティングゲート上に形成された第2の絶縁膜16と、第2の絶縁膜上に形成されたゲート電極18と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成されたソース/ドレイン24とを有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたβ-FeSi2より成るフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成されたソース/ドレインとを有することを特徴とする光半導体装置。
Fターム (13件)：
5F049MA15
, 5F049MB01
, 5F049MB12
, 5F049NB01
, 5F049PA03
, 5F049PA07
, 5F049PA10
, 5F049PA14
, 5F049QA15
, 5F049RA07
, 5F049SE04
, 5F049SS03
, 5F049WA01
