特許

J-GLOBAL ID：200903062691627072

p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183189
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なp型とし、さらに膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一であり、発光素子をダブルへテロ、シングルへテロ構造可能な構造とできるp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】 気相成長法により、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、400°C以上の温度でアニーリングを行う。但し、アニーリングは加圧下、または窒化ガリウム系化合物半導体の上に、新たにキャップ層を設けて行うことがさらに好ましい。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成した後、400°C以上の温度でアニーリングを行うことを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭54-071589
  
• 特開昭57-023284
  
• 特開昭62-119196
  
• 特開平2-303064
  
• 特開平2-142188