特許

J-GLOBAL ID：200903062691774873

ECRプラズマ処理方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087394
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291182
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 処理枚数が増えてもパーティクルの発生を抑え、デバイスの歩留まりを向上するECRプラズマ処理技術を得る。【構成】 Ti膜1aを形成した後、TiN膜1bを形成するECRプラズマCVDにおいて、TiN膜1bを所定回数形成した後、膜剥がれを防止するTi膜をダミーデポジションして、TiN膜1bによるパーティクルの発生を抑制した。

請求項（抜粋）：

ECR放電にて、プラズマを発生させ、該プラズマを用いてTi及びTi合金膜形成の処理プロセスを行なう装置にて、成膜の回数を重ねてゆく過程で、Tiのダミー成膜を入れることを特徴とするECRプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-005560
  
• 特開平4-030421
  
• 特開平1-252827
  
• 特開昭61-225522