特許
J-GLOBAL ID：200903062704972688
半導体装置の実装方法およびその実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231060
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047841
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【構成】 半導体装置1に突起電極2を形成する工程と、突起電極2に導電性接続材料3を形成する工程と、半導体装置1の突起電極2と配線パターン4とを位置合わせして、半導体装置1と配線基板5とを仮止めする工程と、ビーズ7を混合した封止樹脂6によって樹脂封止する工程とを有し、半導体装置1と配線基板5との接続と、封止樹脂6による樹脂封止とを同時に行う。【効果】 半導体装置を配線基板に接続する際に、導電性接続材料が配線パターン上やその周辺に広がってしまうのを抑えることができるので、半導体装置の接続ピッチを小さく、高密実装度することが可能となる。また、接続工程と封止工程とを同時に行うことができるので、工程の効率が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体装置上に突起電極を形成する工程と、該突起電極に低融点金属からなる導電性接続材料を形成する工程と、前記半導体装置の突起電極と配線基板の配線パターンとを位置合わせして、前記半導体装置と配線基板とを仮止めする工程と、前記半導体装置と配線基板との間にビーズを混入した封止樹脂を形成し、加熱処理を行い前記半導体装置と配線基板との接続、および前記封止樹脂の硬化を同時に行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 21/321
