特許
J-GLOBAL ID：200903062706921991
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159895
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031717
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【構成】 基板11上に第1のレジストパタ-ン15を形成した後、低粘度のレジストを塗布して第2のレジスト層16を形成し、その後、パタ-ンが微細な第2のマスクパタ-ン17を用いて矩形形状の凹部19に通常のフォトリソグラフィ工程を施し、第1のレジストパタ-ン15間の凹部19に微細な第2のレジストパタ-ン18を形成する。【効果】 既存の露光装置を用いて通常のフォトリソグラフィ工程を2回繰り返すだけで、前記既存の露光装置の有する性能以上の解像度を得ることができ、微細なパタ-ンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1のレジストパターンを形成する工程、及びその後第2のレジストを塗布して第2のレジスト層を形成し、露光、現像する工程を含んでいることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 502 C
