特許

J-GLOBAL ID：200903062706951513

半導体装置およびその製造方法

発明者： 金澤 正人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221905
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043414
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】STIを露光装置の光源の波長よりも微細化したパターンでCMP法を用いて形成した時に、半導体基板から突出して残るフィールド絶縁膜のエッジ部が逆テーパ形状で形成され、その横方向に突出したフィールド絶縁膜の下部に後に形成するゲート電極材料が異方性エッチングで残存し、ゲートの電気的短絡を生じさせることを防止する。【解決手段】半導体基板1から突出したフィールド絶縁膜7のエッジ部が逆テーパ形状で形成されても、その上部へのシリコン酸化膜の成長と、そのエッチバックによって、逆テーパ形状のフィールド絶縁膜7のエッジ部にサイドウォール壁8を形成することにより、そのエッジ部を順テーパ形状にする。

請求項（抜粋）：

溝を形成した半導体基板と、前記溝に充填されて前記半導体基板の表面より逆テーパ状に突出したフィールド絶縁膜と、前記半導体基板上に形成されたゲート電極とを備え、前記フィールド絶縁膜の前記半導体基板の表面より突出した部分の側壁に設けられたサイドウォール絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/76 L

Fターム (17件)：

5F004AA11 ,  5F004DB03 ,  5F004EA12 ,  5F004EA37 ,  5F004EB04 ,  5F032AA16 ,  5F032AA26 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25