特許

J-GLOBAL ID：200903062707524740

酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法

発明者： 櫻田 剛史 ,  吉田 誠人 ,  松沢 純
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364981
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188270
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を、高速に、平坦に高速に研磨することが可能な酸化セリウム研磨剤、及びこの酸化セリウム研磨剤を使用した半導体素子基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 X線回折法で得られる(111)面による回折強度aと(200)面による回折強度bがa/bの積分強度比で2.5以上である酸化セリウムを媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤及びこの酸化セリウム研磨剤で、所定の基板を研磨することを特徴とする基板の研磨法。

請求項（抜粋）：

X線回折法で得られる(111)面による回折強度aと(200)面による回折強度bがa/bの積分強度比で2.5以上である酸化セリウムを媒体に分散させたスラリーを含む酸化セリウム研磨剤。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C01F 17/00 A ,  C09K 3/14 550 D

Fターム (19件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  4G076AA02 ,  4G076AA24 ,  4G076AA26 ,  4G076AB09 ,  4G076BA39 ,  4G076CA02 ,  4G076CA15 ,  4G076CA21 ,  4G076CA26 ,  4G076CA28 ,  4G076CA33 ,  4G076DA30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265979   出願人：日立化成工業株式会社