特許

J-GLOBAL ID：200903062707743973

半導体素子のバンプ部形成方法

発明者： 田中 晶裕
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 中村 茂信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162898
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013419
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】フェースダウン実装用の半導体素子のバンプ部の凹凸が一定のものを得る。【構成】予め金型用板材10aにエッチング処理によって深さ一定の凹凸形状11を形成して、バンプ用金型12を製作しておき、一方半導体素子13の電極部に平坦状のバンプ14を形成した後、前記バンプ用金型12の凹凸部11に前記半導体素子13のバンプ部14をスタンピングし、バンプ部に深さ一定の凹凸形状の溝15を形成する。

請求項（抜粋）：

予め金型用板材にエッチング処理によって深さ一定の凹凸形状を形成して、バンプ用金型を製作しておき、一方半導体素子の電極部にバンプを形成した後、前記バンプ用金型の凹凸部に前記半導体素子のバンプ部をスタンピングし、バンプ部に深さ一定の凹凸形状の溝を形成することを特徴とする半導体素子のバンプ部形成方法。