薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063542
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260668
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】液晶表示装置に用いられ、配線抵抗が低く、高開口率で高性能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】表面に形成された溝2を有する絶縁性基板1の表面上に堆積された金属4でソースライン24および遮光膜23が形成され、ソースライン24上の透明絶縁膜5に形成されたコンタクトホール6を介してソースライン24と透明絶縁膜5上に形成された半導体層7とが接続されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタであって、該絶縁性基板の表面に形成された溝を含む絶縁性基板の該溝を有する表面上に堆積された導電体からソースラインおよび遮光膜が形成され、該ソースライン上の透明絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該ソースラインと該透明絶縁膜上に形成された半導体層とが接続されている薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 616 S , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 619 B , H01L 29/78 626 C

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