特許
J-GLOBAL ID：200903062710498785
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243251
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097690
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、原料ガスを多孔質体の金属電極を通してプラズマ雰囲気に均一に導入することにより、膜厚分布の均一性の著しい向上を図る。【構成】 一対の放電電極が真空容器内に対向配置され、真空容器内に原料ガスを導入すると共に、各放電電極の少なくとも一方に電力を供給し、当該各放電電極間にプラズマを発生させて原料ガスを活性化させることにより、真空容器内の所定の基材上に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、各放電電極のうち、少なくとも一方の放電電極に金属多孔質体からなるガス導入口(33)を設けたプラズマCVD装置。
請求項（抜粋）：
一対の放電電極が真空容器内に対向配置され、前記真空容器内に原料ガスを導入すると共に、前記各放電電極の少なくとも一方に電力を供給し、当該各放電電極間にプラズマを発生させて前記原料ガスを活性化させることにより、前記真空容器内の所定の基材上に薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記各放電電極のうち、少なくとも一方の放電電極に金属多孔質体からなるガス導入口を設けたことをを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
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