特許

J-GLOBAL ID：200903062711690787

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 大谷 敏晴 ,  小野 正寛
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067341
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265950
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のFTVの改善を実現するものである。【解決手段】 コントロールゲート16の延在方向と実質平行な帯状領域で、前記コントロールゲート16と重畳する前記帯状領域の側辺に、前記側辺から前記延在方向と実質直角な方向に沿って下に向かって傾斜8が設けられ、この傾斜8に前記フローティングゲート14の端部を設けてFTV特性を向上させ、前記コントロールゲート16と重畳する前記フローティングゲート14の端部と前記半導体基板で成る部分にスペーサを設け、ここに当接するコントロールゲート16の角部を丸くすることでリバーストンネリング現象を防止している。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に電気的に独立して配置されるフローティングゲートと、このフローティングゲートを覆う絶縁膜と、この絶縁膜を介して前記フローティングゲートの一端部上に重なるように配置されるコントロールゲートと、前記フローティングゲートおよび前記コントロールゲートに隣接する前記半導体基板の表面に形成される逆導電型の半導体領域とを備えた不揮発性半導体記憶装置に於いて、前記コントロールゲートの延在方向と実質平行な帯状領域で、前記コントロールゲートと重畳する前記帯状領域の側辺に、前記側辺から前記延在方向と実質直角な方向に沿って下に向かって傾斜が設けられ、この傾斜に前記フローティングゲートの端部を設け、前記コントロールゲートと重畳する前記フローティングゲートの端部と前記半導体基板で成る部分にスペーサを設け、ここに当接するコントロールゲートの角部を丸くすることを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434