高周波回路

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073466
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270953
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】低雑音特性と低ひずみ特性とを有する高周波回路を提供する。【解決手段】少なくとも初段の増幅器がBJT1で、かつ、最終段の増幅器がMOSFET12aにより構成する。このため、入力端子1に入力した高周波信号はBJT増幅器11aで増幅され、さらにMOSFET増幅器12aで増幅された後に出力端子2から出力される。ここで、BJT増幅器11aは雑音が低く、利得が高いが、ひずみは高い。その一方、MOSFET増幅器12aはひずみが低いが、利得は低く、雑音は高い。このため、雑音特性に支配的な初段のBJT増幅器11aにより低い雑音特性が得られると共に、ひずみ特性に支配的な最終段のMOSFET増幅器12aにより低いひずみ特性が得られる。

請求項（抜粋）：

複数段の増幅器からなる高周波回路であって、少なくとも初段の増幅器を接合形バイポーラトランジスタを有するBJT増幅器とし、かつ、少なくとも最終段の増幅器を電界効果トランジスタを有するFET増幅器としたことを特徴とする高周波回路。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭59-138110
特開昭50-132881
特開昭62-110332

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審査官引用 (5件)

特開昭59-138110
特開昭50-132881
特開昭62-110332

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