特許

J-GLOBAL ID：200903062716537529

フォトレジストパターンの形成方法

発明者： クウォン オソン ,  イ ドゥヒ ,  ユク ヒョンソン ,  ホン ホンギ ,  グ ヨンモ
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-290150
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263333
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 多数のウェハを1単位としてフォトリソグラフィ工程を進める場合において、パターン間の線幅の均一性を向上させる。【構成】 露光時間Zを式「Z=X+(γ-α)×(Y-X)/(β-α)」に基づいて設定する。ここで、Tは反射率が最小または最大のときのフォトレジストの厚さ、T’はTより厚いフォトレジストの厚さ、αおよびβはそれぞれTおよびT’における反射率、XおよびYはそれぞれ反射率αおよびβにおける露光時間、γは目的とするところの反射率。

請求項（抜粋）：

多数のウェハを1単位としてフォトリソグラフィ工程を進める場合のフォトレジストパターンの形成方法において、フォトレジスト面の反射率の違いに応じて露光時間を異ならせてパターンを形成することを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-231706
  
• 特開昭60-177623
  
• 特開昭63-284811