特許
J-GLOBAL ID：200903062727341421
化合物半導体のヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069227
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 大量生産に対応できるヘテロ結合バイポーラトランジスタ作成方法と、この方法によって作成される化合物半導体材料構造体を得る。【構成】 一態様として、一層以上が第一材料(例えばGaAs36)から成り、残りの層のうちの一層以上が第二材料(例えばAlGaAs32)から成っている、複数層から構成される化合物半導体材料構造を形成する工程;第二材料層をあまりエッチングしないエッチング剤を用いて、第一材料から成っている層をエッチングする工程;から成るヘテロ接合バイポーラトランジスタ作成方法と、この方法によって作成される化合物半導体材料構造体が開示されている。これにより、次のエッチングの深さを調節する精度が向上される。
請求項（抜粋）：
一層以上が第一材料から成り、残りの層のうち一層以上が第二材料から成っている、複数層から構成される化合物半導体材料構造を形成する工程と、前記第二材料の前記層を評価できるほどはエッチングしないエッチング剤を用いて、前記第一材料から成っている前記層をエッチングする工程と、から成り、それによって前記層の最上層の上面以外の点にて、次のエッチングの時間調節基準点が定められて、エッチング精度とデバイスの歩留りが向上し、また更にそれによって、従来使用できたものよりも更に厚いエミッタ層と更に薄いベース層を使用できることを特徴とする、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
