特許
J-GLOBAL ID：200903062729376605
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234697
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、マイクロ波により生成されるプラズマを高密度,高均一なプラズマとすることにより、被処理物を高速,高精度に処理できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することにある。【構成】接地電極100,絶縁材101,変位変換部材102及びパルスモータ103により構成される接地電極面積を可変にする手段と、接地電極100,コイル200,コンデンサ201及び可変抵抗202で構成されるプラズマと接地電極を介した接地間のインピーダンスを可変にする手段とで構成されるプラズマ制御機構を有する。
請求項（抜粋）：
真空室内に放電用ガスを導入し、放電用ガスにマグネトロンで発生したマイクロ波とソレノイドコイルで発生した磁界とを作用させてプラズマを発生し、かつ、高周波電源から電力を供給しプラズマ中のイオンのエネルギを制御しながら試料の表面をエッチングする装置において、接地電極面積を可変にする手段と、プラズマと接地電極を介した接地間のインピーダンスを可変にする手段とを設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/302
